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G-33D6型高精密雙面光刻機

G-33D6型高精密光刻機 產(chǎn)品介紹:設備概述本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位,主要用于集成電路、半導體…

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G-33D6型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹:

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位,主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和生產(chǎn),由于本機找平機構**,找平力小,使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

主要構成LED專用曝光頭、

CCD顯微系統(tǒng)X、Y、Q對準工作臺Z軸升降機構


曝光頭及部件圖

IMG_0274  

 


主要功能特點

1.適用范圍廣5mm以下的各種基片)的對準曝光。

2.套刻精度高、速度快Z軸升降機構和雙簧片微分離機構,使本機片對版在分離接觸時漂移特小,對準精度高,對準速度快,從而提高了版的復用率和產(chǎn)品的成品率。

3.可靠性高

采用PLC控制、進口(日本產(chǎn))電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和經(jīng)過精密機械制造工藝加工的零件,使本機運行具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。

4. 特設功能

除標準承片臺外,我公司還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

主要技術指標

1)6″LED紫外專用曝光頭

2)曝光面積:150mm×150mm;

3)曝光強度:030mw/cm2可調(diào);

4)紫外光束角:≤3°;

5照明不均勻性改為≤3%;

6)紫外光中心波長:365nm;

8)工作面溫度:≤30

10)曝光分辨率:1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11)曝光時間采用0~999.9秒(日本OMRON生產(chǎn))時間繼電器控制。<span style="font-family:;" "="">

12)套刻精度:1μm

13觀察系統(tǒng)為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。

a、 單筒顯微鏡為1.6X~10X連續(xù)變倍顯微鏡;

b、CCD攝像機靶面對角線尺寸為:1/3″;

c、 采用19″液晶監(jiān)視器,其數(shù)字放大倍率為19÷1/3=57倍;

d、觀察系統(tǒng)放大倍數(shù)為:1.6×57=91倍(小倍數(shù))

10×57=570倍(放大倍數(shù));


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